ASML与TSMC推动High NA EUV采用12英寸光罩，2031年启动试产线

ASML与TSMC发起行业倡议，计划将High NA EUV光刻技术从6英寸光罩升级至12英寸，目标于2031年建立光罩试产线，并在2033年推出可量产系统、这是路线图承诺，而非当前交付能力。TSMC仍将于2030年基于6英寸光罩启动High NA的大规模量产，因此短期内的前沿制程经济效益保持不变；ASML的Christophe Fouquet预计，更大尺寸的光罩将提升扫描光刻机的生产率并消除拼接限制，整个生态系统的光罩供应商也由此获得了明确的研发时间表。

来源： asml.com ↗