キオクシアとSandisk、4.8Gb/sの第9世代2Tb QLCフラッシュを発表

キオクシアとSandiskは、6プレーンアーキテクチャを採用し、第8世代より33%高速な4.8Gb/sのNANDインターフェースを備えた第9世代2Tb QLC 3Dフラッシュ技術を発表した（出荷は未開始）。戦略的な鍵となるのはCBA技術だ。これは個別に製造したCMOSウェーハをメモリアレイに接合するもので、これにより両社はロジックとメモリを別々のペースで進化させ、フルノードの設備投資サイクルを伴わずにAIストレージ需要を取り込むことが可能になる。

出典： kioxia.com ↗

実績のあるメモリセル技術と最新のCMOS技術を組み合わせることで、Kioxiaは第9世代フラッシュメモリの開発を加速している。このアプローチにより、投資コストを比較的低く抑えながら、高い性能を提供できる。

宮島秀樹、Kioxia CTO

なぜ重要か

→ NANDのスケーリングがロジックから分離されることで、フルノードの設備投資なしにAIストレージのイノベーションが加速する。
→ 33%の速度向上により、データセンターにおける高密度で高速なフラッシュメモリへの爆発的な需要に応える。
→ CBA architectureは、メモリとCMOSを独立して進化させ、市場投入までの期間を短縮する。

資本効率の高いAIストレージ