TSMCの490億ドル規模1.4nmファブが計画前倒し、2028年半ば量産へ
TSMCは、台中の中部科学園区に建設中の490億ドル規模となる1.4nmファブの計画を前倒しで進めている。2027年4月にもファーストシリコンを製造し、同年第3四半期に試験生産、2028年半ばまでに量産を開始する見込みだ。ASMLのHigh-NA EUV露光装置を使用せず、第2世代GAAトランジスタでこのタイムラインを達成すれば、同社はIntelの2028年の量産計画と肩を並べ、同ノードにおけるSamsungの2029年の目標を1年リードすることになる。
出典： electronicsweekly.com ↗
最初のシリコンは2027年4月に稼働する可能性があり、それが順調に進めば、最初の試作生産は2027年第3四半期になるだろう。
Commercial Times
なぜ重要か
- → TSMCがSamsungより1年早く量産に到達し、ファウンドリのリーダーシップを確固たるものにする
- → High-NA EUVなしで1.4nmを達成したことは、ASMLのロードマップに依存しないプロセス成熟度を明らかにする
- → 2028年半ばのタイムラインはIntelの量産計画と一致し、競争の激しい半導体製造の構図を塗り替える
台湾の製造業の快進撃